東微半導體成立于2008年，注冊資本3520萬元，是一家技術驅動型的半導體技術公司，也是國內僅有的極少數以原創半導體晶體管結構為核心技術的公司。在作為半導體核心技術的器件領域有深厚的技術積累，專注半導體器件技術創新。公司擁有多項半導體器件核心專利，曾在國際頂級學術期刊上發表多篇擁有自主知識產權的核心技術論文。2013年下半年，東微半導體原創的半浮柵器件的技術論文在美國《science》雜志上發表，標志著首次國內科學家在半導體核心技術方向獲得的重大突破。新聞聯播、人民日報等媒體均進行了頭條重點報道，引起了國內外業界的高度關注。

東微半導體致力于自主知識產權的半導體器件技術的研發和產業化，是“長三角集成電路設計與制造協同創新中心”的核心成員單位。公司已有40多項發明專利，包括3個美國專利，有多項自主知識產權的國際原創核心器件技術。

  　 附件為東微半導體有限公司MOSFET應用指導手冊。詣在讓工程師更加快速了解OSG MOSFET的驅動、EMI解決方法。

                                                                                              /東微半導體MOSFET應用指導.pdf